參數(shù)資料
型號: MJD42CI
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 6 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: IPAK-3
文件頁數(shù): 3/6頁
文件大小: 76K
代理商: MJD42CI
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
MJD42C
Rev. A2, June 2001
Typical Characteristics (Continued)
Figure 7. Power Derating
0
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
25
P
C
[W
],
P
O
W
E
R
D
IS
S
IP
A
T
IO
N
T
C[
o
C], CASE TEMPERATURE
相關PDF資料
PDF描述
MJD44H11I 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD44H11-I 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD44H11 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
MJD45H11 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
MJD45H11T4 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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MJD42CRLG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 6A 100V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD42CT4 功能描述:兩極晶體管 - BJT 6A 100V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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