參數(shù)資料
型號(hào)： MJD42C
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： Complementary Power Transistors
中文描述： 6 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, CASE 369C, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 195K
代理商： MJD42C
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25 C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)
(IC = 30 mAdc, IB = 0)
Collector Cutoff Current
(VCE = 60 Vdc, IB = 0)
ICEO
100
—
—
50
Vdc
μ
Adc
Collector Cutoff Current
ICES
—
10
μ
Adc
Emitter Cutoff Current
IEBO
—
0.5
mAdc
(IC = 3 Adc, VCE = 4 Vdc)
(IC = 6 Adc, IB = 600 mAdc)
15
—
75
1.5
Vdc
Base–Emitter On Voltage
(IC = 6 Adc, VCE = 4 Vdc)
VBE(on)
—
2
Vdc
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current Gain — Bandwidth Product (2)
Small–Signal Current Gain
(2) fT =
hfe
ftest.
fT
3
—
MHz
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PDF描述
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