參數(shù)資料
型號(hào)： MJD42C
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： SILICON POWER TRANSISTORS 6 AMPERES 100 VOLTS 20 WATTS
中文描述： 6 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大小： 195K
代理商： MJD42C
1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
DPAK For Surface Mount Applications
Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.
Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)
Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“–1” Suffix)
Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix)
Electrically Similar to Popular TIP41 and TIP42 Series
Monolithic Construction With Built–in Base–Emitter Resistors
MJD42C
Peak
10
Base Current
2
Adc
Derate above 25 C
20
0.16
Watts
W/ C
Total Power Dissipation* @ TA = 25 C
PD
1.75
Watts
Preferred
devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
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by MJD41C/D
CASE 369A–13
SILICON
POWER TRANSISTORS
6 AMPERES
100 VOLTS
20 WATTS
*Motorola Preferred Device
CASE 369–07
MINIMUM PAD SIZES
RECOMMENDED FOR
SURFACE MOUNTED
APPLICATIONS
0
6
0
1
0
3
0
1
0
4
0
4
inches
mm
REV 1
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PDF描述
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MJD50 High Voltage and High Reliability D-PAK for Surface Mount Applications
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參數(shù)描述
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MJD42CG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 6A 100V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD42CRL 功能描述:兩極晶體管 - BJT 6A 100V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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