參數(shù)資料
型號： MJD50-1
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN SILICON POWER TRANSISTORS 1 AMPERE 250, 400 VOLTS 15 WATTS
中文描述： 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 184K
代理商： MJD50-1
1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
DPAK For Surface Mount Applications
Designed for line operated audio output amplifier, switchmode power supply drivers
and other switching applications.
Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)
Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“–1” Suffix)
Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix)
Electrically Similar to Popular TIP47, and TIP50
250 and 400 V (Min) — VCEO(sus)
2
Base Current
Total Power Dissipation @ TC = 25 C
Peak
IB
PD
0.6
15
Adc
Watts
Temperature Range
(VCE = 150 Vdc, IB = 0)
MJD47
(1) Pulse Test: Pulse Width
—
—
0.2
0.2
300
μ
s, Duty Cycle
2%.
Preferred
devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
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by MJD47/D
NPN SILICON
POWER TRANSISTORS
1 AMPERE
250, 400 VOLTS
15 WATTS
*Motorola Preferred Device
MINIMUM PAD SIZES
RECOMMENDED FOR
SURFACE MOUNTED
APPLICATIONS
0
6
0
1
0
3
0
1
0
4
0
4
inches
mm
CASE 369A–13
CASE 369–07
REV 1
相關PDF資料
PDF描述
MJD50 High Voltage and High Reliability D-PAK for Surface Mount Applications
MJD6036 SILICON POWER TRANSISTORS 4 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS
MJD6036-1 SILICON POWER TRANSISTORS 4 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS
MJD6036T4 SILICON POWER TRANSISTORS 4 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS
MJD6039 SILICON POWER TRANSISTORS 4 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MJD50G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 400V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD50T4 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD50T4G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 400V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD50T4G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR NPN 400V D-PAK 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 400V D-PAK
MJD50T4G-CUT TAPE 制造商:ON 功能描述:MJD Series 400 V 1 A NPN Surface Mount Power Transistor - TO-252
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