參數(shù)資料
型號： MJD350I
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 0.5 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： IPAK-3
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大小： 67K
代理商： MJD350I
Product Folder - Fairchild P/N MJD350 - PNP Epitaxial Silicon Transistor
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MJD350
PNP Epitaxial Silicon Transistor
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Contents
Features
High Voltage Power Transistors
D-PAK for Surface Mount Applications
q
Lead Formed for Surface Mount
Applications (No Suffix)
q
Straight Lead (I-PAK, "-I" Suffix)
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Datasheet
Product status/pricing/packaging
Product
Product status
Pricing*
Package type
Leads
Packing method
MJD350TF
Full Production
$0.306
TO-252(DPAK)
2
TAPE REEL
* 1,000 piece Budgetary Pricing
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file:///C|/shj/MJD350.html [Jul-26-2002 3:18:21 PM]
GO
相關PDF資料
PDF描述
MJD350 0.5 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
MJD340T4 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA
MJD340 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
MJD41C-I 6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD42-I 6 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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MJD350T4G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 0.5A 300V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD350TF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD361T4-A 功能描述:兩極晶體管 - BJT LV Complimentary 60V Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD41C 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Power Transistors
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