參數資料
型號： MJD350I
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 0.5 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： IPAK-3
文件頁數： 1/5頁
文件大?。?/td> 67K
代理商： MJD350I
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, June 2001
MJD350
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings T
C=25°C unless otherwise noted
Electrical Characteristics T
C=25°C unless otherwise noted
* Pulse Test: PW
≤300s, Duty Cycle≤2%
Symbol
Parameter
Value
Units
VCBO
Collector-Base Voltage
- 300
V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
- 300
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
- 3
V
IC
Collector Current (DC)
- 0.5
A
ICP
Collector Current (Pulse)
- 0.75
A
PC
Collector Dissipation (TC = 25°C)
15
W
Collector Dissipation (Ta = 25°C)
1.56
W
TJ
Junction Temperature
150
°C
TSTG
Storage Temperature
- 65 ~ 150
°C
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
Max.
Units
VCEO(sus)
* Collector-Emitter Sustaining Voltage
IC = 1mA, IB = 0
-300
V
ICEO
Collector Cut-off Current
VCB = -300V, IE =0
-0.1
mA
IEBO
Emitter Cut-off Current
VEB = -3V, IC = 0
-0.1
mA
hFE
* DC Current Gain
VCE = -10V, IC = -50mA
30
240
MJD350
High Voltage Power Transistors
D-PAK for Surface Mount Applications
Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix)
Straight Lead (I-PAK, “- I” Suffix)
1.Base
2.Collector
3.Emitter
D-PAK
I-PAK
11
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PDF描述
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