參數(shù)資料
型號： MJD350I
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 0.5 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： IPAK-3
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 67K
代理商： MJD350I
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, June 2001
MJD350
Typical Characteristics
Figure 1. DC current Gain
Figure 2. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 3. Safe Operating Area
Figure 4. Power Derating
-1
-10
-100
-1000
1
10
100
1000
VCE = -10V
h
FE
,DC
C
URRENT
GAI
N
IC[A], COLLECTOR CURRENT
-1
-10
-100
-1000
-0.01
-0.1
-1
-10
IC = 10 IB
VCE(sat)
VBE(sat)
V
BE
(s
a
t),
V
CE
(s
at)
[V
],
S
A
T
URA
T
ION
V
O
LT
A
G
E
IC[A], COLLECTOR CURRENT
-10
-100
-1000
-1
-10
-100
-1000
500
s
100
s
1m
s
DC
ICP(max)
IC(max)
I C
[m
A],
COL
L
ECT
O
R
CURRENT
VCE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
3
6
9
12
15
18
21
24
P
C
[W
],
PO
W
E
R
D
ISS
IP
AT
IO
N
TC[
o
C], CASE TEMPERATURE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD350 0.5 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
MJD340T4 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA
MJD340 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
MJD41C-I 6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD42-I 6 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD350T4 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Gen Pur Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD350T4G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 0.5A 300V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD350TF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD361T4-A 功能描述:兩極晶體管 - BJT LV Complimentary 60V Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD41C 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Power Transistors
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*