參數(shù)資料
型號： MJD340-1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： CASE 369-07, 3 PIN
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 98K
代理商： MJD340-1
MJD340 MJD350
http://onsemi.com
7
Notes
相關PDF資料
PDF描述
MJD350I 0.5 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD350 0.5 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
MJD340T4 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA
MJD340 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
MJD41C-I 6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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MJD340G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 0.5A 300V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD340G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:RF BIPOLAR TRANSISTOR
MJD340RL 功能描述:兩極晶體管 - BJT 0.5A 300V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD340RLG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 0.5A 300V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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