參數(shù)資料
型號： MJD340-1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： CASE 369-07, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 98K
代理商： MJD340-1
MJD340 MJD350
http://onsemi.com
3
1
5
0
7
10
20
30
100
200
0.8
0.6
50 70
300 500
0.4
0.2
1
200
5
Figure 3. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
10
7 10
20
30
100
200
Figure 4. “On” Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
70
V,
VOL
TAGE
(VOL
TS)
20
50 70
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VBE @ VCE = 10 V
TJ = 150°C
25°C
VCE = 2 V
VCC = 10 V
-55°C
300
500
h FE
,DC
CURRENT
GAIN
50
30
IC/IB = 10
IC/IB = 5
VCE(sat)
MJD350
t, TIME (ms)
1
0.01
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
r(t)
,TRANSIENT
THERMAL
0.05
1
2
5
10
20
50
100
200
1 k
500
RθJC(t) = r(t) RθJC
RθJC = 8.33°C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) - TC = P(pk) θJC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
D = 0.5
0.2
0.05
SINGLE PULSE
0.1
0.7
0.3
0.07
0.03
0.02
0.1
0.5
0.2
Figure 5. Thermal Response
RESIST
ANCE
(NORMALIZED)
0.03
0.3
3
30
300
0.01
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD350I 0.5 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD350 0.5 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
MJD340T4 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA
MJD340 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
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參數(shù)描述
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MJD340G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 0.5A 300V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD340G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:RF BIPOLAR TRANSISTOR
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MJD340RLG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 0.5A 300V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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