參數資料
型號： MJD3055I
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： IPAK-3
文件頁數： 5/5頁
文件大?。?/td> 74K
代理商： MJD3055I
Product Folder - Fairchild P/N MJD3055 - NPN Epitaxial Silicon Transistor
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MJD3055
NPN Epitaxial Silicon Transistor
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Contents
Features
General Purpose Amplifier
Low Speed Switching Applications
D-PAK for Surface Mount Applications
q
Lead Formed for Surface Mount
Applications (No Suffix)
q
Straight Lead (I-PAK, "-I" Suffix)
q
Electrically Similar to Popular
MJE3055T
q
DC Current Gain Specified to 10A
q
High Current Gain - Bandwidth
Product: fT=2MHz (Min.), IC=500mA
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Datasheet
Product status/pricing/packaging
Product
Product status
Pricing*
Package type
Leads
Packing method
MJD3055TF
Full Production
$0.339
TO-252(DPAK)
2
TAPE REEL
* 1,000 piece Budgetary Pricing
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file:///C|/shj/MJD3055.html [Jul-26-2002 3:17:01 PM]
GO
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PDF描述
MJD30C-1 1 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD30C-T1 1 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD30-1 1 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD30 1 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD30C 1 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
相關代理商/技術參數
參數描述
MJD3055T4 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD3055T4G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 10A 60V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD3055TF 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD30CTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD30TF 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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