參數(shù)資料
型號(hào)： MJD3055I
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： IPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 74K
代理商： MJD3055I
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, June 2001
MJD305
5
Typical Characteristics
Figure 1. DC current Gain
Figure 2. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 3. Turn On Time
Figure 4. Turn Off Time
Figure 5. Safe Operating Area
Figure 6. Power Derating
0.01
0.1
1
10
1
10
100
1000
V
CE = 2V
h
FE
,DC
C
URRENT
GAI
N
I
C[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
I
C = 10 IB
V
CE(sat)
V
BE(sat)
V
BE
(s
a
t)
,V
CE
(s
a
t)
[V],
SA
T
U
R
A
T
IO
N
VO
L
T
AG
E
I
C[A], COLLECTOR CURRENT
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
V
CC = 30V
I
C = 10.IB
t
D, VBE(off)=5V
t
ON
t ON
,t
D
[
s],
T
URN
O
N
T
IME
I
C[A], COLLECTOR CURRENT
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
V
CC
= 30V
I
C = 10.IB
I
B1 = IB2
t
f
t
STG
t ST
G
,t
F
[
s],
T
URN
O
F
T
IM
E
I
C[A], COLLECTOR CURRENT
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
100s
500s
1m
s
5m
s
DC
I
CP(max)
I
C(max)
I C
[A]
,CO
L
ECT
O
R
CUR
RENT
V
CE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
25
P
C
[W
],
P
O
W
E
R
D
IS
S
IP
A
T
IO
N
T
C[
o
C], CASE TEMPERATURE
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PDF描述
MJD30C-1 1 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD30C-T1 1 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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MJD30 1 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MJD3055TF 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD30CTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD30TF 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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