參數(shù)資料
型號(hào)： MJD30C-1
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 1 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： IPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 80K
代理商： MJD30C-1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD30C-T1 1 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD30-1 1 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD30 1 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD30C 1 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD30C-I 1 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD30CTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD30TF 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD31 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Power Transistors
MJD31_05 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Power Transistors
MJD31_11 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Power Transistors
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*