參數(shù)資料
型號(hào)： MJD200TF
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 5 A, 25 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
封裝： DPAK-3
文件頁數(shù)： 6/6頁
文件大小： 75K
代理商： MJD200TF
Product Folder - Fairchild P/N MJD200 - NPN Epitaxial Silicon Transistor
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MJD200
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Related Links
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Contents
Features
D-PAK for Surface Mount Applications
q
High DC Current Gain
q
Built-in a Damper Diode at E-C
q
Lead Formed for Surface Mount
Applications (No Suffix)
q
Straight Lead (I-PAK, "-I" Suffix)
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Datasheet
Product status/pricing/packaging
Product
Product status
Pricing*
Package type
Leads
Packing method
MJD200TF
Full Production
$0.28
TO-252(DPAK)
2
TAPE REEL
* 1,000 piece Budgetary Pricing
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file:///C|/shj/MJD200.html [Jul-26-2002 3:11:16 PM]
GO
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD210-1 5 A, 25 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD200-1 5 A, 25 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD210I 5 A, 25 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD2955-I 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD29C-1 1 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD210 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 25V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD210_10 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:PNP SILICON DPAK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS
MJD210-1 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS
MJD210G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 25V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD210G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
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