參數(shù)資料
型號(hào)： MJD200TF
廠(chǎng)商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 5 A, 25 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
封裝： DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 75K
代理商： MJD200TF
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
MJD200
Rev. A2, June 2001
Typical Characteristics (Continued)
Figure 7. Power Derating
0
25
50
75
100
125
150
175
0.0
2.5
5.0
7.5
10.0
12.5
15.0
17.5
20.0
P
C
[W
],
PO
W
E
R
DI
SSI
PATI
O
N
TC[
o
C], CASE TEMPERATURE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD210-1 5 A, 25 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD200-1 5 A, 25 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD210I 5 A, 25 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD2955-I 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD29C-1 1 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD210 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 25V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD210_10 制造商:UTC-IC 制造商全稱(chēng):UTC-IC 功能描述:PNP SILICON DPAK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS
MJD210-1 制造商:MOTOROLA 制造商全稱(chēng):Motorola, Inc 功能描述:SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS
MJD210G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 25V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD210G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
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