參數(shù)資料
型號(hào)： MJD200TF
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 5 A, 25 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
封裝： DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 75K
代理商： MJD200TF
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, June 2001
MJD200
Typical Characteristics
Figure 1. DC current Gain
Figure 2. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 3. Collector Output Capacitance
Figure 4. Turn On Time
Figure 5. Turn Off Time
Figure 6. Safe Operating Area
0.01
0.1
1
10
1
10
100
1000
VCE=2V
VCE=1V
h
FE
,DC
C
URRENT
GAI
N
IC[A], COLLECTOR CURRENT
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
VCE
(sa
t)
VBE(sat)
IC=10IB
V
CE
(s
a
t),
V
BE
(s
at)
[V
],
S
A
T
URA
T
ION
V
O
L
T
A
G
E
IC[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
100
1
10
100
1000
C
OB
[p
F
],
C
A
P
A
CI
T
A
NCE
VCB[V], COLLECTOR BASE VOLTAGE
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
tD
tR
VCC=30V
IC=10IB
t R
,t
D
[n
s],
T
URN
O
N
T
IM
E
IC[A], COLLECTOR CURRENT
0.01
0.1
1
10
100
1000
tF
tSTG
VCC=30V
IC=10IB
IB1=IB2
t ST
G
,t
F[n
s],
T
URN
O
F
T
IM
E
IC[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
DC
5m
s
1m
s
50
0s
10
0
s
I C
[A],
COL
L
ECT
O
R
CURRENT
VCE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD210-1 5 A, 25 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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MJD210I 5 A, 25 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MJD210_10 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:PNP SILICON DPAK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS
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MJD210G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
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