參數(shù)資料
型號(hào)： MJD18002D2-1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 2 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： CASE 369-07, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 15/16頁(yè)
文件大小： 142K
代理商： MJD18002D2-1
MJD18002D2
http://onsemi.com
8
Typical Switching Characteristics
Figure 25. Inductive Switching Measurements
TIME
8
6
4
2
0
1
2
3
4
5
6
10
7
8
9
7
5
3
1
IC
IB
Vclamp
10% Vclamp
90% IB1
90% IC
tsi
tc
tfi
10% IC
Table 1. Inductive Load Switching Drive Circuit
V(BR)CEO(sus)
L = 10 mH
RB2 = ∞
VCC = 20 Volts
IC(pk) = 100 mA
Inductive Switching
L = 200 H
RB2 = 0
VCC = 15 Volts
RB1 selected for
desired IB1
RBSOA
L = 500 H
RB2 = 0
VCC = 15 Volts
RB1 selected for
desired IB1
+15 V
1 F
150
3 W
100
3 W
MPF930
+10 V
50
COMMON
-Voff
500 F
MPF930
MTP8P10
MUR105
MJE210
MTP12N10
MTP8P10
150
3 W
100 F
Iout
A
RB1
RB2
1 F
IC PEAK
VCE PEAK
VCE
IB
IB1
IB2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD32-1 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJE13005BU 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE13005BD 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE13005AN 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE13005AJ 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD18002D2T4 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 450V TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD18002D2T4G 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 450V TR F RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD200 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 25V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD200_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Plastic Power Transistors
MJD200_11 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Plastic Power Transistors
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*