參數(shù)資料
型號: MJD117T4
廠商: STMICROELECTRONICS
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
封裝: DPAK-3
文件頁數(shù): 9/10頁
文件大小: 382K
代理商: MJD117T4
Package mechanical data
MJD112, MJD117
8/10
Doc ID 3540 Rev 3
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TO-252 (DPAK) mechanical data
0068772_G
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD112 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
MJD117 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
MJD112 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MJD117-1 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD117-T1 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MJD122 功能描述:達林頓晶體管 8A 100V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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