參數(shù)資料
型號(hào)： MJD117T4
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
封裝： DPAK-3
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大?。?/td> 382K
代理商： MJD117T4
Electrical characteristics
MJD112, MJD117
4/10
Doc ID 3540 Rev 3
2.1
Typical characteristic (curves)
Figure 2.
DC current gain
(VCE = 3 V NPN)
Figure 3.
DC current gain
(VCE = - 3 V PNP)
Figure 4.
DC current gain
(VCE = 5 V NPN)
Figure 5.
DC current gain
(VCE = - 5 V PNP)
Figure 6.
Collector-emitter saturation
voltage (NPN)
Figure 7.
Collector-emitter saturation
voltage (PNP)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD112 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
MJD117 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
MJD112 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MJD117-1 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD117-T1 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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