參數(shù)資料
型號(hào)： MJD117T4
廠(chǎng)商： STMICROELECTRONICS
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
封裝： DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 1/10頁(yè)
文件大?。?/td> 382K
代理商： MJD117T4
January 2010
Doc ID 3540 Rev 3
1/10
10
MJD112
MJD117
Complementary power Darlington transistors
Features
■ Good hFE linearity
■ High fT frequency
■ Monolithic Darlington configuration with
integrated antiparallel collector-emitter diode
Application
■ Linear and switching industrial equipment
Description
The devices are manufactured in planar
technology with “base island” layout and
monolithic Darlington configuration.
.
Figure 1.
Internal schematic diagram
TO-252
1
3
TAB
(DPAK)
R1 typ. = 15 kΩ
R2 typ. = 100 Ω
Table 1.
Device summary
Order codes
Marking
Polarity
Package
Packaging
MJD112T4
MJD112
NPN
DPAK
Tape and reel
MJD117T4
MJD117
PNP
DPAK
Tape and reel
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD112 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
MJD117 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
MJD112 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MJD117-1 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD117-T1 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MJD117TF 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Silicon Darl RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD122 功能描述:達(dá)林頓晶體管 8A 100V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD122_05 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:Complementary Darlington Power Transistor
MJD122_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:nullLow voltage power Darlington transistor
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