參數(shù)資料
型號(hào)： MHVIC2115NR2
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier
中文描述： 射頻LDMOS寬帶集成功率放大器
文件頁(yè)數(shù)： 7/12頁(yè)
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代理商： MHVIC2115NR2
MHVIC2115NR2
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
f = 2110 MHz
Z
in
f = 2170 MHz
f = 2110 MHz
f = 2170 MHz
Z
load
Figure 16. Series Equivalent Input and Load Impedance
f
MHz
Z
in
Ω
Z
load
Ω
2110
2140
2170
4.25 + j1.00
4.12 + j1.46
4.13 + j1.37
72.55 + j12.8
71.40 + j9.9
70.20 + j7.1
V
DD
= 27 Vdc, I
DQ
= 1411 mA,
P
out
= 15 W Avg.
Z
in
=
Device input impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zin
Zload
Device
Under Test
Output
Matching
Network
Z
o
= 50
Ω
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PDF描述
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