參數(shù)資料
型號： MHVIC2115NR2
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier
中文描述： 射頻LDMOS寬帶集成功率放大器
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 425K
代理商： MHVIC2115NR2
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MHVIC2115NR2
TYPICAL CHARACTERISTICS
35
60
40
15
2170 MHz
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
Figure 11. W-CDMA ACPR versus Output Power
A
V
DD
= 27 Vdc
3GPP Test Model 1
64 DPCH
2110 MHz
2140 MHz
17
19
21
23
25
27
29
31
33
42
44
46
48
50
52
54
56
58
2300
70
40
2000
I
DQ3
= 100 mA
122 mA
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 12. Two-Tone IMR versus Frequency
I
V
DD
= 27 Vdc
P
out
= 23 dBm TwoTone Avg.
Tone Spacing = 100 kHz
2250
2200
2150
2100
2050
45
50
55
60
65
100 mA
122 mA
111 mA
3rd Order
5th Order
25
70
50
0
3rd Order
TONE SPACING (MHz)
Figure 13. Two-Tone Broadband Performance
I
I
V
DD
= 27 Vdc, f = 2140
P
out
= 23 dBm, TwoTone Avg.
5th Order
52
54
56
58
60
62
64
66
68
5
10
15
20
100
3.00
6.00
40
T, TEMPERATURE (C)
Figure 14. Fixture Bias versus Temperature
V
DD
= 27 Vdc
R1 = R2 = R3 = 1000 Ohms
30 20 10
0
10
20
30
40
50
60 70
80 90
5.75
5.50
5.25
5.00
4.75
4.50
4.25
4.00
3.75
3.50
3.25
V
b
,
V
BIAS3
T, TEMPERATURE (C)
Figure 15. Gate Bias versus Temperature
100
3.20
4.20
40
V
gs1
& V
gs2
V
DD
= 27 Vdc
R1 = R2 = R3 = 1000 Ohms
30 20 10
0
10
20
30
40
50
60 70
80 90
4.10
4.00
3.90
3.80
3.70
3.60
3.50
3.40
3.30
V
g
,
V
gs3
0.00
2.00
1.80
1.60
1.40
1.20
1.00
0.80
0.60
0.40
0.20
I
g
,
I
gs1
& I
gs2
I
gs3
V
BIAS1
V
BIAS2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MHVIC910HNR2 921 MHz-960 MHz SiFET RF Integrated Power Amplifier
MHVIC915NR2 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier
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參數(shù)描述
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