參數(shù)資料
型號(hào)： MHV5IC2215NR2
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier
中文描述： 射頻LDMOS寬帶集成功率放大器
文件頁數(shù)： 7/16頁
文件大?。?/td> 595K
代理商： MHV5IC2215NR2
MHV5IC2215NR2
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Figure 11. Series Equivalent Input and Load Impedance, 2140 MHz
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ1
= 164 mA, I
DQ2
= 115 mA, P
out
= 23 dBm
Z
in
=
Device input impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zin
Zload
Device
Under Test
Output
Matching
Network
f
MHz
Z
in
Ω
Z
load
Ω
2110
2140
2170
1.03 - j0.87
0.94 - j0.35
0.99 - j0.61
35.1 - j5.4
34.1 - j1.8
33.8 - j1.7
Z
o
= 50
Ω
f = 2110 MHz
Z
in
f = 2170 MHz
Z
load
f = 2170 MHz
f = 2110 MHz
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PDF描述
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