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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MGF1951A-01 |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | KU BAND, GaAs, P-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET |
| 封裝： | LEADLESS, CERAMIC PACKAGE-4 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 28K |
| 代理商： | MGF1951A-01 |
MITSUBISHI SEMICONDUTOR <GaAs FET>
MGF195
MGF1951111A
A
Medium Power Microwave MESFET
MITSUBISHI
1 Aug 2002
(3/4)
PRELIMINARY
TYPICAL CHARACTERISTICS (Ta=+25°C)
DRAIN CURRENT vs DRAIN VOLTAGE
Dr
ain
C
u
rr
ent
I
D
(m
A
)
OUTPUT POWER vs INPUT POWER
20
15
10
5
0
-10
-5
0
5
10
Input Power Pin (dBm)
O
u
tput
Pow
e
r
P
out
(d
B
m
)
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1
2
3
4
Drain to Source Voltage VDS (V)
80
70
60
50
40
30
20
10
0
-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
0
Gate to Source Voltage VGS (V)
Dr
ain
C
u
rr
ent
I
D
(m
A
)
DRAIN CURRENT vs GATE VOLTAGE
VDS=3V
ID=30mA
f=12GHz
-0.2V/step
VGS=0V
VDS=3V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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