參數(shù)資料
型號(hào)： MG75Q2YS51
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： 2-108D1A, 7 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/7頁(yè)
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代理商： MG75Q2YS51
MG75Q2YS51
2001-04-20
1
TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
MG75Q2YS51
High Power Switching Applications
Motor Control Applications
High input impedance
High speed :
tf = 0.3 s (Max)
@Inductive load
Low saturation voltage
:
CE (sat) = 3.6 V (Max)
Enhancement-mode
Includes a complete half bridge in one package
The electrodes are isolated from case
Equivalent Circuit
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-emitter voltage
VCES
1200
V
Gate-emitter voltage
VGES
±20
V
DC
IC
(25°C / 80°C)
100 / 75
Collector current
1ms
ICP
(25°C / 80°C)
200 / 150
A
DC
IF
75
Forward current
1ms
IFM
150
A
Collector power dissipation
(Tc = 25°C)
PC
600
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
40 ~ 125
°C
Isolation voltage
VIsol
2500
(AC 1minute)
V
Screw torque (Terminal / mounting)
―
3 / 3
Nm
JEDEC
―
EIAJ
―
TOSHIBA
2-108D1A
Weight: 240g
Unit: mm
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MG90V2YS40 90 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
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MGA-86563-TR1 500 MHz - 6000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER
MGB15N43CLT4 15 A, 460 V, N-CHANNEL IGBT
MGD623N 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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