參數(shù)資料
型號： MG600J2YS61A
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 600 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： 2-123C1B, 11 PIN
文件頁數(shù)： 5/14頁
文件大?。?/td> 505K
代理商： MG600J2YS61A
MG600J2YS61A
2003-08-21
13
0.001
0.01
0.1
1
10
1
0.1
0.01
Diode stage
Transistor stage
Tc
= 25°C
Collector-emitter voltage VCE (V)
Reverse bias SOA
Col
le
ct
or
c
urrent
I C
(A
)
Pulse width tw (s)
R
th
(j
-c)
(
°C
/W
)
Rth – tw
Tj = 125°C
RG = 5.1
VGE = ±15 V
0
1
700
10
30
1000
10000
200
600
100
300
3000
3
100
300
400
500
相關PDF資料
PDF描述
MG600Q1US41 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MG600Q1US59A 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MG75H2YS1 75 A, 500 V, N-CHANNEL IGBT
MG75J1ZS40 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
MG75J1ZS50 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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MG600Q1US51 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
MG600Q1US59A 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS
MG600Q1US61 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
MG600Q2YS60A 功能描述:IGBT MOD CMPCT 1200V 600A RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
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