參數(shù)資料
型號： MG600J2YS61A
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 600 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： 2-123C1B, 11 PIN
文件頁數(shù)： 10/14頁
文件大小： 505K
代理商： MG600J2YS61A
MG600J2YS61A
2003-08-21
5
Remark
<Short circuit capability condition>
Short circuit capability is 6
s after fault output signal.
Please keep following condition to use fault output signal.
VCC <= 375 V
13.8 V <= VGE <= 16.0 V
RG >= 5.1
Tj <= 125°C
<Gate voltage>
To use this product, VGE must be provided higher than 13.8 V.
In case VGE is less than 13.8 V, fault signal FO may not be output even under error conditions.
<Recommneded conditions for application>
Characteristics
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
P-N power terminal supply voltage
VCC
300
375
V
Gate voltage
VGE
13.8
15
16
V
Gate resistance
RG
5.1
Switching frequency
fc
20
kHz
<For parallel use>
For parallel use of this product, please use the same rank for both VCE (sat) and VF among IGBT in
parallel without fail.
VCE (sat)
VCE (sat)
Min
Max
20
1.8
2.0
22
1.9
2.2
24
2.1
2.4
26
2.3
2.5
VF
VF
Min
Max
D
1.9
2.2
E
2.1
2.4
F
2.3
2.6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MG600Q1US41 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MG600Q1US59A 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MG75H2YS1 75 A, 500 V, N-CHANNEL IGBT
MG75J1ZS40 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
MG75J1ZS50 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MG600Q1US51 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
MG600Q1US59A 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS
MG600Q1US61 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
MG600Q2YS60A 功能描述:IGBT MOD CMPCT 1200V 600A RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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