參數(shù)資料
型號： MG600J2YS61A
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 600 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： 2-123C1B, 11 PIN
文件頁數(shù)： 2/14頁
文件大小： 505K
代理商： MG600J2YS61A
MG600J2YS61A
2003-08-21
10
Collector current IC (A)
Sw
itc
hin
glo
ss
E
on
,E
of
f
(m
J)
Eon, Eoff – IC
Gate resistance RG ()
Eon, Eoff – RG
Sw
itc
hin
glo
ss
E
on
,E
of
f
(m
J)
Common emitter
VCC = 300 V
IC = 600 A
Tj = 25°C
VGE = ±15 V
Tj = 125°C
0
10
25
10
30
100
300
1000
5
15
20
Eoff
Eon
0
1
700
300
3
10
30
100
400
600
Eoff
Eon
Common emitter
VCC = 300 V
RG = 5.1
Tj = 25°C
VGE = ±15 V
Tj = 125°C
200
500
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MG600Q1US41 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MG600Q1US59A 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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MG75J1ZS40 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
MG75J1ZS50 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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MG600Q1US61 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
MG600Q2YS60A 功能描述:IGBT MOD CMPCT 1200V 600A RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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