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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MG75J1ZS50 |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | 2-94D2A, 5 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 466K |
| 代理商： | MG75J1ZS50 |
MG75J1ZS50
2001-08-16
1
TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
MG75J1ZS50
High Power Switching Applications
Motor Control Applications
The electrodes are isolated from case.
High input impedance
Includes a complete half bridge in one package.
Enhancement-mode
High speed
: tf = 0.30s (max) (IC = 75A)
trr = 0.15s (max) (IF = 75A)
Low saturation voltage
: VCE (sat) = 2.70V (max) (IC = 75A)
Equivalent Circuit
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-emitter voltage
VCES
600
V
Gate-emitter voltage
VGES
±20
V
Reverse voltage
VR
600
V
DC
IC
75
Collector current
1ms
ICP
150
A
DC
IF
75
Forward Current
1ms
IFM
150
A
Collector power dissipation (Tc = 25°C)
PC
390
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
40 ~ 125
°C
Isolation voltage
VIsol
2500
(AC 1 min.)
V
Screw torque (Terminal / mounting)
―
3 / 3
Nm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-94D2A
Weight: 202g (typ.)
Unit: mm
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG75J6ES50 | 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG75N1AS1 | 75 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG75Q1ZS50 | IGBT |
| MG75Q2YS42 | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG75Q2YS50 | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MG75J2YS50 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
| MG75J6ES50 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
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