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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MG75Q1ZS50 |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | IGBT |
| 封裝： | 2-94D7A, 5 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 553K |
| 代理商： | MG75Q1ZS50 |
MG75Q1ZS50
2001-08-16
1
TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
MG75Q1ZS50
High Power Switching Applications
Motor Control Applications
High input impedance
High speed : tf = 0.3 s (max)
@inductive load
Low saturation voltage
: VCE (sat) = 3.6 V (max)
Enhancement-mode
The electrodes are isolated from case
Equivalent Circuit
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-emitter voltage
VCES
1200
V
Gate-emitter voltage
VGES
±20
V
Reverse voltage
VR
1200
V
DC
IC
(25°C / 80°C)
100 / 75
Collector current
1ms
ICP
(25°C / 80°C)
200 / 150
A
DC
IF
75
Forward current
1ms
IFM
150
A
Collector power dissipation (Tc = 25°C)
PC
600
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
40 ~ 125
°C
Isolation voltage
VIsol
2500 (AC 1 minute)
V
Screw torque (Terminal / mounting)
―
3 / 3
Nm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-94D7A
Weight: 202g
Unit: mm
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG75Q2YS42 | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
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| MG75Q2YS51 | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG90V2YS40 | 90 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| MGA-86563-BLK | 500 MHz - 6000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MG75Q2YK1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MODULES |
| MG75Q2YL1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MODULES |
| MG75Q2YS1 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
| MG75Q2YS11 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
| MG75Q2YS40 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
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