參數(shù)資料
型號： MG400J2YS60A
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 400 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： 2-123C1B, 11 PIN
文件頁數(shù)： 8/9頁
文件大?。?/td> 373K
代理商： MG400J2YS60A
MG400J2YS60A
2002-09-06
8
Co
lle
ct
o
rcu
rr
e
n
t
I C
(A
)
Forward current
IF (A)
Irr, trr – IF
Reve
rs
e
re
c
o
ve
ry
tim
e
t
rr
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)
Reve
rs
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r
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c
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e
n
t
I rr
(A
)
Forward current
IF (A)
Edsw – IF
Reve
rs
e
re
c
o
ve
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ss
E
ds
w
(
m
J
)
Collector-emitter voltage
VCE (V)
C – VCE
C
apa
ci
ta
nce
C
(
p
F)
Collector-emitter voltage
VCE (V)
Reverse bias SOA
Pulse width
tw (s)
Rth – tw
R
th
(j
-c)
(
°C
/W
)
10
0
200
400
100
1000
100
300
trr
Irr
Common cathode
VCC = 300 V
RG = 7.5
Tj = 25°C
VGE = ±15 V
Tj = 125°C
0.1
0
200
400
1
10
100
300
Common cathode
VCC = 300 V
RG = 7.5
Tj = 25°C
VGE = ±15 V
Tj = 125°C
100
0.01
0.1
1
10
1000
10000
100000
Cies
Coes
Cres
100
1000000
10
0
100
1000
200
400
600
Tj <
= 125°C
RG = 7.5
VGE = ±15 V
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
Diode stage
Transistor stage
Tc
= 25°C
相關PDF資料
PDF描述
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MG400J2YS61A 功能描述:IGBT MOD CMPCT DUAL 600V 400A RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
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