參數(shù)資料
型號(hào): MG400J2YS60A
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 400 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: 2-123C1B, 11 PIN
文件頁數(shù): 7/9頁
文件大?。?/td> 373K
代理商: MG400J2YS60A
MG400J2YS60A
2002-09-06
7
S
W
tim
e
(ns)
S
W
loss
E
on
,E
of
f
(m
J)
Forward voltage
VF (V)
IF – VF
Fo
rw
ar
d
c
u
rr
en
t
I F
(A
)
Gate
-em
itt
er
volt
age
V
GE
(V
)
Charge
QG (nC)
VCE, VGE – QG
Co
lle
ct
o
r-
e
m
itte
r
v
o
lta
g
e
V
CE
(V
)
Gate resistance
RG ()
SW time – RG
S
W
tim
e
(ns)
Gate resistance
RG ()
Eon, Eoff – RG
Collector current
IC (A)
SW time – IC
Collector current
IC (A)
Eon, Eoff – IC
S
W
loss
E
on
,E
of
f
(m
J)
0
0.5
3
400
600
1
1.5
2.5
200
800
Common cathode
VGE = 0 V
2
Tj = 25°C
125°C
40°C
100
5
0
10
15
20
25
1000
10000
toff
td (off)
tf
tr
td (on)
ton
Common emitter, VCC = 300 V
IC = 400 A
Tj = 25°C
VGE = ±15 V
Tj = 125°C
10
0
100
5
10
15
20
25
Common emitter
VCC = 300 V
IC = 400 A
Tj = 25°C
VGE = ±15 V
Tj = 125°C
Eon
Eoff
100
0
300
400
1000
10000
100
200
toff
td (off)
ton
td (on)
tf
tr
Common emitter
VCC = 300 V
RG = 7.5
Tj = 25°C
VGE = ±15 V
Tj = 125°C
1
0
200
400
10
100
Eoff
Eon
Common emitter
VCC = 300 V
RG = 7.5
Tj = 25°C
VGE = ±15 V
Tj = 125°C
100
300
0
1000
2000
4000
100
200
300
400
500
0
4
8
12
16
20
3000
Common emitter
RL = 0.75
Tj = 25°C
VCE
= 0 V
200 V
400 V
600 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MG400Q1US51 520 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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MG400V2YS60A 400 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
MG400J2YS61A 功能描述:IGBT MOD CMPCT DUAL 600V 400A RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
MG400Q1US1 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module
MG400Q1US11 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module
MG400Q1US1VCSA 制造商:n/a 功能描述:_
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