參數(shù)資料
型號(hào)： MG400J2YS60A
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 400 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： 2-123C1B, 11 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
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代理商： MG400J2YS60A
MG400J2YS60A
2002-09-06
3
Maximum Ratings (Ta
==== 25°C)
Stage
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-emitter voltage
VCES
600
V
Gate-emitter voltage
VGES
±20
V
DC
IC
400
Collector current
1 ms
ICP
800
A
DC
IF
400
Forward current
1 ms
IFM
800
A
Inverter
Collector power dissipation (Tc
= 25°C)
PC
2160
W
Control voltage (OT)
VD
20
V
Fault input voltage
VFO
20
V
Control
Fault input current
IFO
20
mA
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
40~125
°C
Operation temperature range
Tope
20~100
°C
Isolation voltage
Visol
2500 (AC 1 min)
V
Module
Screw torque
3 (M5)
N m
Electrical Characteristics (Tj =
=== 25°C)
1.
Inverter Stage
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
VGE = ±20 V, VCE = 0
+3/4
mA
Gate leakage current
IGES
VGE = +10 V, VCE = 0
100
nA
Collector cut-off current
ICES
VCE = 600 V, VGE = 0
1.0
mA
Gate-emitter cut-off voltage
VGE (off)
VCE = 5 V, IC = 400 mA
5.0
6.5
8.0
V
Tj
= 25°C
1.8
2.1
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
VGE = 15 V,
IC = 400 A
Tj
= 125°C
2.3
V
Input capacitance
Cies
VCE = 10 V, VGE = 0, f = 1 MHz
3500
pF
Turn-on delay time
td (on)
0.10
1.00
Turn-off time
toff
2.00
Switching time
Fall time
tf
0.50
Reverse recovery time
trr
VCC = 300 V, IC = 400 A
VGE = ±15 V, RG = 7.5
(Note 1)
0.50
s
Forward voltage
VF
IF = 400 A
1.8
2.2
V
Note 1: Switching time test circuit & timing chart
2.
Control (Tc
==== 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Fault output current
OC
VGE = 15 V
480
A
Over temperature
OT
100
125
°C
Fault output delay time
td (Fo)
VCC = 300 V, VGE = ±15 V
6.5
s
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MG400Q1US51 520 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MG400Q1US65H 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MG400V1US51A 400 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
MG400V2YS60A 400 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
MG400V2YS60A 400 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
MG400J2YS61A 功能描述:IGBT MOD CMPCT DUAL 600V 400A RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
MG400Q1US1 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module
MG400Q1US11 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module
MG400Q1US1VCSA 制造商:n/a 功能描述:_
MG400Q1US2 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module
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