參數(shù)資料
型號： MG400Q1US51
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 520 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： 2-109F1A, 4 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 284K
代理商： MG400Q1US51
MG400Q1US51
2003-12-19
1
TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
MG400Q1US51
High Power Switching Applications
Motor Control Applications
High input impedance
High speed : tf = 0.3s (Max.)
@Inductive Load
Low saturation voltage
: VCE (sat) =3.6V (Max.)
Enhancement-mode
The electrodes are isolated from case.
Equivalent Circuit
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-emitter voltage
VCES
1200
V
Gate-emitter voltage
VGES
±20
V
DC
IC
(25°C / 80°C)
520 / 400
Collector current
1ms
ICP
(25°C / 80°C)
1040 / 800
A
DC
IF
400
Forward current
1ms
IFM
800
A
Collector power dissipation (Tc = 25°C)
PC
3000
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
40 ~ 125
°C
Isolation voltage
VIsol
2500
(AC 1 minute)
V
Screw torque (Terminal : M4/M6 / mounting)
―
2 / 3 / 3
Nm
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-109F1A
Weight: 465 g (typ.)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MG400Q1US65H 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MG400V1US51A 400 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
MG400V2YS60A 400 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
MG400V2YS60A 400 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
MG50H2YS1 50 A, 500 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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