參數(shù)資料
型號： MG200Q2YS65H
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： 2-109C4A, 7 PIN
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 331K
代理商： MG200Q2YS65H
MG200Q2YS65H
2002-10-04
5
T
ransi
e
nt
t
he
rm
al
r
esi
st
anc
e
R
th
(t)
(
°C
/W
)
Co
lle
ct
or
cu
rr
e
nt
I C
(A
)
Charge QG (nC)
VCE, VGE – QG
Co
lle
ct
or
-e
m
itte
r
vo
lta
ge
V
CE
(V
)
Collector-emitter voltage VCE (V)
C – VCE
C
apa
ci
ta
nce
C
(
pF
)
Collector-emitter voltage VCE (V)
Short circuit SOA
C
ol
le
ct
or
c
urr
en
t
(x
time
s)
Collector-emitter voltage VCE (V)
Reverse bias SOA
Pulse width tw (s)
Rth (t) – tw
0
3
6
0
400
1400
200
800
1200
VCC <= 900 V
Tj <= 125°C
tw = 5 s
5
4
2
1
600
1000
0.1
1
1000
0
500
1500
Tj <= 125°C
VGE = ±15 V
RG = 4.7
100
1000
10
100
0.01
10000
100000
1
100
Cies
Coes
Cres
Common emitter
VGE = 0
f
= 1 MHz
Tc
= 25°C
1000
0.1
10
0.001
0.1
1
0.1
10
Diode stage
Transistor stage
Tc
= 25°C
0.01
1
Gate
-em
itt
er
volt
age
V
GE
(V
)
0
800
1600
800
2000
Common emitter
RL = 3
Tc
= 25°C
400
1200
400
1600
1200
8
16
4
12
VCE = 0
600 V
400 V
200 V
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PDF描述
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