參數資料
型號： MG200Q2YS65H
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： 2-109C4A, 7 PIN
文件頁數： 1/6頁
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代理商： MG200Q2YS65H
MG200Q2YS65H
2002-10-04
1
TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
MG200Q2YS65H
High Power & High Speed Switching
Applications
High input impedance
Enhancement-mode
The electrodes are isolated from case.
Equivalent Circuit
Maximum Ratings (Tc
==== 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-emitter voltage
VCES
1200
V
Gate-emitter voltage
VGES
±20
V
DC
IC
200
Collector current
1 ms
ICP
400
A
DC
IF
200
Forward current
1 ms
IFM
400
A
Collector power dissipation
(Tc
= 25°C)
PC
1310
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
40 to 125
°C
Isolation voltage
VIsol
2500
(AC 1 minute)
V
Terminal
3
Screw torque
Mounting
3
Nm
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-109C4A
Weight: 430 g (typ.)
G1 E1/C2
E2
G2
E1
E2
C1
相關PDF資料
PDF描述
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