參數(shù)資料
型號(hào)： MG200Q2YS65H
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： 2-109C4A, 7 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 331K
代理商： MG200Q2YS65H
MG200Q2YS65H
2002-10-04
4
Sw
itc
hin
g
lo
ss
(
m
J)
Sw
itc
hin
gtim
e
(
s)
Collector current IC (A)
Switching time – IC
Sw
itc
hin
gtim
e
(
s)
Collector current IC (A)
Switching time – IC
Sw
itc
hin
gtim
e
(
s)
Gate resistance RG ()
Switching time – RG
Sw
itc
hin
gtim
e
(
s)
Gate resistance RG ()
Switching time – RG
Collector current IC (A)
Switching loss – IC
Gate resistance RG ()
Switching loss – RG
Sw
itc
hin
g
lo
ss
(
m
J)
0.01
0.1
1
100
10
tr
td (on)
ton
Common emitter
VCC = 600 V
IC = 200 A
VGE = ±15 V
: Tc
= 25°C
: Tc
= 125°C
0.01
0.1
10
1
100
10
: Tc
= 25°C
: Tc
= 125°C
Common emitter
VCC = 600 V
IC = 200 A
VGE = ±15 V
toff
td (off)
tf
1
0.01
10
0.1
1
100
1000
toff
td (off)
tf
Common emitter
VCC = 600 V
VGE = ±15 V
RG = 4.7
: Tc
= 25°C
: Tc
= 125°C
0.1
1
100
10
1000
100
Eoff
Edsw
Eon
: Tc
= 25°C
: Tc
= 125°C
Common emitter
VCC = 600 V
VGE = ±15 V
RG = 4.7
10
0.01
10
0.1
1
100
1000
: Tc
= 25°C
: Tc
= 125°C
Common emitter
VCC = 600 V
VGE = ±15 V
RG = 4.7
tr
ton
td (on)
1
10
1000
1
100
10
Eon
Eoff
Edsw
: Tc
= 25°C
: Tc
= 125°C
Common emitter
VCC = 600 V
IC = 200 A
VGE = ±15 V
100
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PDF描述
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