參數(shù)資料
型號(hào)： MG200Q2YS65H
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： 2-109C4A, 7 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大小： 331K
代理商： MG200Q2YS65H
MG200Q2YS65H
2002-10-04
3
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – VCE (sat)
Co
lle
ct
or
cu
rr
e
nt
I C
(A
)
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – VCE (sat)
Co
lle
ct
or
cu
rr
e
nt
I C
(A
)
Gate-emitter voltage VGE (V)
VCE – VGE
Co
lle
ct
or
-e
m
itte
r
vo
lta
ge
V
CE
(V
)
Gate-emitter voltage VGE (V)
VCE – VGE
Co
lle
ct
or
-e
m
itte
r
vo
lta
ge
V
CE
(V
)
Gate-emitter voltage VGE (V)
IC – VGE
Co
lle
ct
or
cu
rr
e
nt
I C
(A
)
Forward voltage VF (V)
IF – VF
Fo
rw
ar
dc
ur
ren
t
I F
(A
)
0
4
8
12
16
4
8
12
16
20
Common emitter
Tc
= 25°C
IC = 400 A
100 A
200 A
0
50
100
150
200
4
8
12
16
Common emitter
VCE = 5 V
Tc
= 125°C
40°C
25°C
0
100
200
300
400
1
2
3
4
Tc
= 125°C
25°C
Common cathode
VGE = 0
0
100
200
300
400
2
4
6
8
10
VGE = 8 V
10 V
12 V
20 V
18 V
15 V
Common emitter
Tc
= 125°C
0
4
8
12
16
4
8
12
16
20
Common emitter
Tc
= 125°C
IC = 400 A
100 A
200 A
12 V
0
100
200
300
400
2
4
6
8
10
Common emitter
Tc
= 25°C
VGE = 8 V
PC = 1310 W
10 V
20 V
18 V
15 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MG20G6EL2 20 A, 400 V, 6 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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