參數資料
型號： MCIMX357CJM5B
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁數： 61/147頁
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描述： MPU MX35 ARM11 400-MAPBGA
標準包裝： 90
系列： i.MX35
核心處理器： ARM11
芯體尺寸： 32-位
速度： 532MHz
連通性： 1 線，CAN，EBI/EMI，以太網，I²C，MMC，SPI，SSI，UART/USART，USB OTG
外圍設備： DMA，I²S，LCD，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數： 96
程序存儲器類型： ROMless
RAM 容量： 128K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 1.33 V ~ 1.47 V
振蕩器型： 外部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 400-LFBGA
包裝： 托盤
i.MX35 Applications Processors for Industrial and Consumer Products, Rev. 10
Freescale Semiconductor
20
4.7
I/O Pin DC Electrical Characteristics
I/O pins are of two types: GPIO and DDR. DDR pins can be configured in three different drive strength
modes: mobile DDR, SDRAM, and DDR2. The SDRAM and mobile DDR modes can be further
customized at three drive strength levels: normal, high, and max.
Table 13 shows currents for the different DDR pin drive strength modes.
Table 12. Thermal Resistance Data
Rating
Condition
Symbol
Value
Unit
Junction to ambient1 natural convection
1 Junction-to-ambient thermal resistance determined per JEDC JESD51-3 and JESD51-6. Thermal test board meets JEDEC
specification for this package.
Single layer board (1s)
ReJA
53
C/W
Junction to ambient1 natural convection
Four layer board (2s2p)
ReJA
30
C/W
Junction to ambient1 (at 200 ft/min)
Single layer board (1s)
ReJMA
44
C/W
Junction to ambient1 (at 200 ft/min)
Four layer board (2s2p)
ReJMA
27
C/W
Junction to boards2
2 Junction-to-board thermal resistance determined per JEDC JESD51-8. Thermal test board meets JEDEC specification for this
package.
—ReJB
19
C/W
Junction to case (top)3
3 Junction-to-case at the top of the package determined using MIL-STD 883 Method 1012.1. The cold plate temperature is used
for the case temperature. Reported value includes the thermal resistance of the interface layer.
—ReJCtop
10
C/W
Junction to package top4
4 Thermal characterization parameter indicating the temperature difference between the package top and the junction
temperature per JEDEC JESD51-2. When Greek letters are not available, this thermal characterization parameter is written
as Psi-JT.
Natural convection
Ψ
JT
2C/W
Table 13. DDR Pin Drive Strength Mode Current Levels
Drive Mode
Normal
High
Max.
Mobile DDR (1.8 V)
3.6 mA
7.2 mA
10.8 mA
SDRAM (1.8 V)
—
6.5 mA
SDRAM (3.3 V)
4 mA
8 mA
12 mA
DDR2 (1.8 V)
—
13.4 mA
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PDF描述
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