參數(shù)資料
型號： MCIMX31CVMN4C
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁數(shù)： 19/108頁
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描述： IC MPU MAP I.MX31 473-MAPBGA
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 84
系列： i.MX31
核心處理器： ARM11
芯體尺寸： 32-位
速度： 400MHz
連通性： 1 線，ATA，EBI/EMI，F(xiàn)IR，I²C，MMC/SD，PCMCIA，SIM，SPI，SSI，UART/USART，USB，USB OTG
外圍設(shè)備： DMA，LCD，POR，PWM，WDT
程序存儲(chǔ)器類型： ROMless
RAM 容量： 16K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 1.22 V ~ 3.3 V
振蕩器型： 外部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 473-LFBGA
包裝： 托盤
MCIMX31C/MCIMX31LC Technical Data, Rev. 4.3
18
Freescale Semiconductor
Electrical Characteristics
The MCIMX31C I/O parameters appear in Table 13 for DDR (Double Data Rate). See Table 7, "Operating
Ranges," on page 12 for temperature and supply voltage ranges.
NOTE
NVCC for Table 13 refers to NVCC2, NVCC21, and NVCC22.
4.3.2
AC Electrical Characteristics
Figure 4 depicts the load circuit for outputs. Figure 5 depicts the output transition time waveform. The
range of operating conditions appears in Table 14 for slow general I/O, Table 15 for fast general I/O, and
Table 16 for DDR I/O (unless otherwise noted).
Figure 4. Load Circuit for Output
Figure 5. Output Transition Time Waveform
Table 13. DDR (Double Data Rate) I/O DC Electrical Parameters
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
High-level output voltage
VOH
IOH = –1 mA
NVCC –0.12
—
V
IOH = specified Drive
0.8*NVCC
—
V
Low-level output voltage
VOL
IOL = 1 mA
—
0.08
V
IOL = specified Drive
—
0.2*NVCC
V
High-level output current
IOH
VOH=0.8*NVCC
Std Drive
High Drive
Max Drive
DDR Drive1
1 Use of DDR Drive can result in excessive overshoot and ringing.
–3.6
–7.2
–10.8
–14.4
——
mA
Low-level output current
IOL
VOL=0.2*NVCC
Std Drive
High Drive
Max Drive
DDR Drive1
3.6
7.2
10.8
14.4
——
mA
High-Level DC input voltage
VIH
—
0.7*NVCC
NVCC
NVCC+0.3
V
Low-Level DC input voltage
VIL
—
–0.3
0
0.3*NVCC
V
Tri-state leakage current
IOZ
VI = NVCC or GND
I/O = High Z
——
±2
μA
Test Point
From Output
Under Test
CL
CL includes package, probe and fixture capacitance
0V
NVCC
20%
80%
20%
PA1
Output (at I/O)
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PDF描述
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