參數(shù)資料
型號(hào)： MCIMX31CVMN4C
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁數(shù)： 18/108頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC MPU MAP I.MX31 473-MAPBGA
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 84
系列： i.MX31
核心處理器： ARM11
芯體尺寸： 32-位
速度： 400MHz
連通性： 1 線，ATA，EBI/EMI，F(xiàn)IR，I²C，MMC/SD，PCMCIA，SIM，SPI，SSI，UART/USART，USB，USB OTG
外圍設(shè)備： DMA，LCD，POR，PWM，WDT
程序存儲(chǔ)器類型： ROMless
RAM 容量： 16K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 1.22 V ~ 3.3 V
振蕩器型： 外部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 473-LFBGA
包裝： 托盤
Electrical Characteristics
MCIMX31C/MCIMX31LC Technical Data, Rev. 4.3
Freescale Semiconductor
17
NOTE
The term NVCC in this section refers to the associated supply rail of an
input or output. The association is shown in the Signal Multiplexing chapter
of the reference manual. NVCC for Table 12 refers to NVCC1 and
NVCC3–10; QVCC refers to QVCC, QVCC1, and QVCC4.
Table 12. GPIO DC Electrical Parameters
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
High-level output voltage
VOH
IOH = –1 mA
NVCC –0.15
—
V
IOH = specified Drive
0.8*NVCC
—
V
Low-level output voltage
VOL
IOL = 1 mA
—
0.15
V
IOL = specified Drive
—
0.2*NVCC
V
High-level output current, slow slew rate
IOH_S
VOH=0.8*NVCC
Std Drive
High Drive
Max Drive
–2
–4
–8
——
mA
High-level output current, fast slew rate
IOH_F
VOH=0.8*NVCC
Std Drive
High Drive
Max Drive
–4
–6
–8
——
mA
Low-level output current, slow slew rate
IOL_S
VOL=0.2*NVCC
Std Drive
High Drive
Max Drive
2
4
8
——
mA
Low-level output current, fast slew rate
IOL_F
VOL=0.2*NVCC
Std Drive
High Drive
Max Drive
4
6
8
——
mA
High-Level DC input voltage
VIH
—
0.7*NVCC
—
NVCC
V
Low-Level DC input voltage
VIL
—0
—
0.3*QVCC
V
Input Hysteresis
VHYS
Hysteresis enabled
0.25
—
V
Schmitt trigger VT+
VT +
Hysteresis enabled
0.5*QVCC
—
V
Schmitt trigger VT–
VT –
Hysteresis enabled
—
0.5*QVCC
V
Pull-up resistor (100 k
Ω PU)
RPU
1
1 Not a precise value. Measurements made on small sample size have shown variations of ±50% or more.
—
100
—
k
Ω
Pull-down resistor (100 k
Ω PD)
RPD
—
100
—
Input current (no PU/PD)
IIN
VI = NVCC or GND
—
±1
μA
Input current (100 k
Ω PU)
IIN
VI = 0
—
25
μA
Input current (100 k
Ω PD)
IIN
VI = NVCC
—
28
μA
Tri-state leakage current
IOZ
VI = NVCC or GND
I/O = High Z
——
±2
μA
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