參數(shù)資料
型號(hào)： MCF5270
廠(chǎng)商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： 32-bit Embedded Controller Division
中文描述： 32位嵌入式控制器部
文件頁(yè)數(shù)： 34/56頁(yè)
文件大?。?/td> 1096K
代理商： MCF5270
MCF5271 Integrated Microprocessor Hardware Specification, Rev. 1.2
Preliminary Electrical Characteristics
Freescale Semiconductor
34
8.3
DC Electrical Specifications
Table 28. DC Electrical Specifications
1
7
Thermal resistance between the die and the case top surface as measured by the cold plate method (MIL
SPEC-883 Method 1012.1).
Thermal resistance between the die and the case top surface as measured by the cold plate method (MIL
SPEC-883 Method 1012.1).
Thermal characterization parameter indicating the temperature difference between package top and the
junction temperature per JEDEC JESD51-2. When Greek letters are not available, the thermal
characterization parameter is written in conformance with Psi-JT.
10
Thermal characterization parameter indicating the temperature difference between package top and the
junction temperature per JEDEC JESD51-2. When Greek letters are not available, the thermal
characterization parameter is written in conformance with Psi-JT.
8
9
The average chip-junction temperature (T
J
) in
°
C can be obtained from:
(1)
Where:
T
A
= Ambient Temperature,
°
C
Θ
JMA
= Package Thermal Resistance, Junction-to-Ambient,
°
C/W
P
D
= P
INT
+
P
I/O
P
INT
= I
DD
×
V
DD
, Watts - Chip Internal Power
P
I/O
= Power Dissipation on Input and Output Pins — User Determined
For most applications P
I/O
<
P
INT
and can be ignored. An approximate relationship between P
D
and T
J
(if P
I/O
is neglected) is:
273
°
C
+
(
÷
=
(2)
Solving equations 1 and 2 for K gives:
K = P
D
×
(T
A
+ 273
°
C) +
Θ
JMA
×
P
D 2
(3)
where K is a constant pertaining to the particular part. K can be determined from equation (3)
by measuring P
D
(at equilibrium) for a known T
A
. Using this value of K, the values of P
D
and
T
J
can be obtained by solving equations (1) and (2) iteratively for any value of T
A
.
Characteristic
Symbol
Min
Typical
Max
Unit
Core Supply Voltage
V
DD
1.35
—
1.65
V
Pad Supply Voltage
OV
DD
3
—
3.6
V
Input High Voltage
V
IH
0.7 OV
DD
—
3.65
V
Input Low Voltage
V
IL
V
SS
– 0.3
—
0.35 OV
DD
V
Input Hysteresis
V
HYS
0.06 OV
DD
—
—
mV
Input Leakage Current
V
in
= V
DD
or V
SS
, Input-only pins
I
in
–1.0
—
1.0
μ
A
T
J
T
A
P
D
Θ
JMA
×
(
)
+
=
P
D
K
T
J
)
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