參數(shù)資料
型號: MC9S12DG256B
廠商: 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述: device made up of standard HCS12 blocks and the HCS12 processor core
中文描述: 設(shè)備組成水平的HCS12塊和HCS12的處理器核心
文件頁數(shù): 118/128頁
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代理商: MC9S12DG256B
MC9S12DP256B Device User Guide — V02.14
118
Table A-19 SPI Slave Mode Timing Characteristics
Conditions are shown in
Table A-4
unless otherwise noted, CLOAD = 200pF on all outputs
Num C
Rating
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
1
P Operating Frequency
f
op
DC
1
/
4
f
bus
1
P SCK Period t
sck
= 1./f
op
t
sck
4
2048
t
bus
2
D Enable Lead Time
t
lead
1
t
cyc
3
D Enable Lag Time
t
lag
1
t
cyc
4
D Clock (SCK) High or Low Time
t
wsck
t
cyc
30
ns
5
D Data Setup Time (Inputs)
t
su
25
ns
6
D Data Hold Time (Inputs)
t
hi
25
ns
7
D Slave Access Time
t
a
1
t
cyc
8
D Slave MISO Disable Time
t
dis
1
t
cyc
9
D Data Valid (after SCK Edge)
t
v
25
ns
10
D Data Hold Time (Outputs)
t
ho
0
ns
11
D Rise Time Inputs and Outputs
t
r
25
ns
12
D Fall Time Inputs and Outputs
t
f
25
ns
F
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n
.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MC9S12DG256BCPV 功能描述:IC MCU 256K FLASH 25MHZ 112-LQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器, 系列:HCS12 標(biāo)準(zhǔn)包裝:250 系列:56F8xxx 核心處理器:56800E 芯體尺寸:16-位 速度:60MHz 連通性:CAN,SCI,SPI 外圍設(shè)備:POR,PWM,溫度傳感器,WDT 輸入/輸出數(shù):21 程序存儲器容量:40KB(20K x 16) 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:6K x 16 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.25 V ~ 3.6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 6x12b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:48-LQFP 包裝:托盤 配用:MC56F8323EVME-ND - BOARD EVALUATION MC56F8323
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MC9S12DG256BMPV 功能描述:IC MCU 256K FLASH 25MHZ 112-LQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器, 系列:HCS12 標(biāo)準(zhǔn)包裝:250 系列:56F8xxx 核心處理器:56800E 芯體尺寸:16-位 速度:60MHz 連通性:CAN,SCI,SPI 外圍設(shè)備:POR,PWM,溫度傳感器,WDT 輸入/輸出數(shù):21 程序存儲器容量:40KB(20K x 16) 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:6K x 16 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.25 V ~ 3.6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 6x12b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:48-LQFP 包裝:托盤 配用:MC56F8323EVME-ND - BOARD EVALUATION MC56F8323
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