參數(shù)資料
型號(hào)： MBRD660CTTRR
廠商： VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分類(lèi)： 整流器
英文描述： 3 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA
封裝： DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 112K
代理商： MBRD660CTTRR
Document Number: 94314
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www.vishay.com
Revision: 14-Aug-08
3
MBRD650CTPbF/MBRD660CTPbF
Schottky Rectifier, 2 x 3 A
Vishay High Power Products
Fig. 1 - Maximum Forward Voltage Drop Characteristics
(Per Leg)
Fig. 2 - Typical Values of Reverse Current vs.
Reverse Voltage (Per Leg)
Fig. 3 - Typical Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
(Per Leg)
Fig. 4 - Maximum Thermal Impedance ZthJC Characteristics (Per Leg)
0.1
1
10
I F
-
Instantaneous
Forward
Current
(A)
VFM - Forward Voltage Drop (V)
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.2
T
J = 150 °C
T
J = 125 °C
T
J = 100 °C
T
J = 25 °C
0.001
1
10
100
0.1
0.01
I R
-Reverse
Current
(mA)
VR - Reverse Voltage (V)
10
20
50
60
30
40
0
T
J = 150 °C
T
J = 125 °C
T
J = 100 °C
T
J = 75 °C
T
J = 50 °C
T
J = 25 °C
10
100
1000
C
T
-Junction
Capacitance
(pF)
VR - Reverse Voltage (V)
20
10
30
40
60
50
0
T
J = 25 °C
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t1 - Rectangular Pulse Duration (s)
Z
thJC
-
Thermal
Impedance
(°C/W)
1
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
Single pulse
(thermal resistance)
P
DM
t
1
t
2
Notes:
1. Duty factor D = t
1/t2
2. Peak T
J = PDM x ZthJC + TC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBRD660CT 3 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA
MBRF10100CT-E3/45 5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
MBRF10100CT2 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
MBRF10100D 5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
MBRF10200D 5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
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