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參數資料
| 型號： | MB8117405B-60 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 4 M ×4 BITS Fast Page Mode Dynamic RAM(CMOS 4 M ×4 位快速頁面存取模式RAM) |
| 中文描述： | 4米× 4位快速頁面模式動態(tài)RAM（的CMOS 4米× 4位快速頁面存取模式的RAM） |
| 文件頁數： | 15/31頁 |
| 文件大小： | 588K |
| 代理商： | MB8117405B-60 |
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15
MB8117405B-50/-60
“H” or “L” level (excluding Address and DQ)
“H” or “L” level, “H”
→
“L” or “L”
→
“H” transition (Address and DQ)
VALID DATA IN
ROW ADD
COLUMN ADD
HIGH-Z
CAS
DESCRIPTION
A write cycle is similar to a read cycle except WE is set to a Low state and OE is a “H” or “L” signal. A write cycle can be imple-
mented in either of three ways – early write, OE write (delayed write), or read-modify-write. During all write cycles, timing param-
eters t
RWL
, t
CWL
and t
RAL
must be satisfied. In the early write cycle shown above t
WCS
satisfied, data on the DQ pin is latched with
the falling edge of CAS and written into memory.
Fig. 6 – EARLY WRITE CYCLE (OE = “H” or “L”)
RAS
A
0
to A
10
WE
DQ
(Input)
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
DQ
(Output)
t
RC
t
RAS
t
CSH
t
RP
t
RSH
t
RCD
t
CRP
t
CAS
t
AR
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
WCR
t
WCS
t
WCH
t
DHR
t
DS
t
DH
t
RAD
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PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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