- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377884 > MB81164442A-100L (Fujitsu Limited) CMOS 4×4M×16 BIT Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM)(CMOS 4×4M×16 位同步動態(tài)RAM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MB81164442A-100L |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 4×4M×16 BIT Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM)(CMOS 4×4M×16 位同步動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 的CMOS 4 × 4米× 16位同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM）（的CMOS 4 × 4米× 16位同步動態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 23/46頁 |
| 文件大?。?/td> | 642K |
| 代理商： | MB81164442A-100L |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁當前第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁
23
MB81164442A-125/-100/-84/-67/-125L/-100L/-84L/-67L
MINIMUM CLOCK LATENCY OR DELAY TIME FOR 4 BANK OPERATION
Notes:
*1.
Assume opposite bank is in idle state.
Assume opposite bank is in active state.
Assume no I/O conflict.
If t
RP
≤
t
CK
, minimum latency is a sum of BL + CL.
Assume PALL command dose not affect any operation on opposite bank.
Assume output is in High-Z sate.
Assume an opposite bank is active and t
RAS
is satisfied.
*2.
*3.
*4.
*5.
*6.
*7.
Illegal Command
Second
command
(other
bank)
First
command
MRS
l
MRD
l
MRD
l
MRD
l
MRD
ACTV
*1
t
RRD
*2
1
*2
1
*2
1
*2
1
*7
1
*2
t
RAS
READ
*1
1
*2
1
*2
1
*2
*3
1
*2
*3
1
*7
1
*2
t
RAS
READA
*1
1
1
*1
*4
BL
+
t
RP
*1
*4
BL
+
t
RP
WRIT
*1
1
*2
1
*2
1
*2
1
*2
1
*7
1
*2
t
RAS
WRITA
*1
1
1
*1
BL
+
t
RP
*1
BL
+
t
RP
PRE
*1
t
RP
*1
1
*2
1
*2
1
*2
1
*2
1
1
*2
t
RAS
*1
t
RP
*1
t
RP
*5
PALL
t
RP
t
RP
1
1
*1
*6
t
RP
*1
*6
t
RP
REF
t
RC
t
RC
t
RC
t
RC
SELFX
t
RC
t
RC
t
RC
t
RC
M
A
R
R
W
W
P
P
R
S
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB81164442A-100 | CMOS 4×4M×16 BIT Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM)(CMOS 4×4M×16 位同步動態(tài)RAM) |
| MB81164442A-125 | CMOS 4×4M×16 BIT Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM)(CMOS 4×4M×16 位同步動態(tài)RAM) |
| MB81164442A-125L | CMOS 4×4M×16 BIT Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM)(CMOS 4×4M×16 位同步動態(tài)RAM) |
| MB81164442A-67 | CMOS 4×4M×16 BIT Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM)(CMOS 4×4M×16 位同步動態(tài)RAM) |
| MB81164442A-67L | CMOS 4×4M×16 BIT Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM)(CMOS 4×4M×16 位同步動態(tài)RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MB8116E | 制造商:FUJITSU 功能描述: 制造商:FUJITSU 功能描述:8116E |
| MB8117800A-60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2 M X 8 BIT FAST PAGE MODE DYNAMIC RAM |
| MB8117800A-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2 M X 8 BIT FAST PAGE MODE DYNAMIC RAM |
| MB812 | 功能描述:ACCY MOUNT BMM 3/4 58A RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF配件 系列:* 標準包裝:1 系列:* |
| MB812.833 | 功能描述:ACCY MOUNT BMM 3/4 58A RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF配件 系列:* 標準包裝:1 系列:* |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。