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參數(shù)資料
| 型號： | MB8116400A-70 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 4 M ×4 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4 M ×4 位快速頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 的CMOS 4米× 4位快速頁面模式的DRAM（的CMOS 4米× 4位快速頁面存取模式動態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 13/25頁 |
| 文件大?。?/td> | 307K |
| 代理商： | MB8116400A-70 |
13
MB8116400A-50/MB8116400A-60/MB8116400A-70
“H” or “L”
Invalid Data
VALID
DATA IN
COL
ADD
ROW
ADD
HIGH-Z
HIGH-Z
HIGH-Z
DESCRIPTION
In the OE (delayed write) cycle, t
WCS
is not satisfied ; thus, the data on the DQ pins is latched with the falling edge of WE and
written into memory. The Output Enable (OE) signal must be changed from Low to High before WE goes Low (t
OED
+ t
DS
).
Fig. 6 – OE (DELAYED WRITE CYCLE)
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
RAS
A
0
to A
11
WE
DQ
(Input)
OE
V
OH
V
OL
DQ
(Output)
CAS
t
RC
t
RAS
t
CRP
t
RP
t
CSH
t
CAS
t
RSH
t
RCD
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RWD
t
WCH
t
CWL
t
RWL
t
WP
t
DS
t
DH
t
DZC
t
OED
t
CAC
t
RAC
t
AA
t
OEZ
t
OEH
t
RAD
t
CWD
t
AWD
t
DZO
t
OEA
t
RAL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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