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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MB8116400A-70 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 4 M ×4 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4 M ×4 位快速頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 的CMOS 4米× 4位快速頁(yè)面模式的DRAM（的CMOS 4米× 4位快速頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/25頁(yè) |
| 文件大小： | 307K |
| 代理商： | MB8116400A-70 |
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10
MB8116400A-50/MB8116400A-60/MB8116400A-70
I
FUNCTIONAL TRUTH TABLE
X : “H” or “L”
* : It is impossible in Fast Page Mode.
Operation Mode
Clock Input
Address
Input Data
Refresh
Note
RAS
CAS
WE
OE
Row
Col-
umn
Input
Output
Standby
H
H
X
X
—
—
—
High-Z
—
Read Cycle
L
L
H
L
Valid
Valid
—
Valid
Yes*
t
RCS
≥
t
RCS
(min.)
t
WCS
≥
t
WCS
(min.)
Write Cycle
(Early Write)
L
L
L
X
Valid
Valid
Valid
High-Z
Yes*
Read-Modify-
Write Cycle
L
L
H
→
L L
→
H
Valid
Valid
Valid
Valid
Yes*
RAS-only
Refresh Cycle
L
H
X
X
Valid
—
—
High-Z
Yes
CAS-before-RAS
Refresh Cycle
L
L
H
X
—
—
—
High-Z
Yes
t
CSR
≥
t
CSR
(min.)
Hidden Refresh
Cycle
H
→
L
L
H
→
X
L
—
—
—
Valid
Yes
Previous data
is kept.
t
RAC
(ns)
t
RCD
(ns)
t
RAD
(ns)
Fig. 2 – t
RAC
vs. t
RCD
Fig. 3 – t
RAC
vs. t
RAD
t
RAC
(ns)
100
90
80
70
60
20
30
40
50
60
70
50
60ns Version
50ns version
70ns Version
100
90
80
70
60
50
70ns Version
60ns Version
50ns version
20
30
40
50
60
70
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB8116400B-50 | 4 M ×4 BITS Fast Page Mode Dynamic RAM(CMOS 4 M ×4 位快速頁(yè)面存取模式RAM) |
| MB8116400B-60 | 4 M ×4 BITS Fast Page Mode Dynamic RAM(CMOS 4 M ×4 位快速頁(yè)面存取模式RAM) |
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| MB8116405A-70 | CMOS 4M ×4 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 4M ×4 位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MB8117800A-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2 M X 8 BIT FAST PAGE MODE DYNAMIC RAM |
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| MB812.833 | 功能描述:ACCY MOUNT BMM 3/4 58A RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF配件 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:* |
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