參數(shù)資料
型號: MB8116400A-70
廠商: Fujitsu Limited
英文描述: CMOS 4 M ×4 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4 M ×4 位快速頁面存取模式動態(tài)RAM)
中文描述: 的CMOS 4米× 4位快速頁面模式的DRAM(的CMOS 4米× 4位快速頁面存取模式動態(tài)內(nèi)存)
文件頁數(shù): 12/25頁
文件大?。?/td> 307K
代理商: MB8116400A-70
12
MB8116400A-50/MB8116400A-60/MB8116400A-70
“H” or “L”
ROW
ADD
VALID
DATA IN
COLUMN
ADD
HIGH-Z
CAS
DESCRIPTION
A write cycle is similar to a read cycle except WE is set to a Low state and OE is a “H” or “L” signal. A write cycle can be
implemented in either of three ways–early write, OE write (delayed write), or read-modify-write. During all write cycles,
timing parameters t
RWL
, t
CWL
and t
RAL
must be satisfied. In the early write cycle shown above t
WCS
satisfied, data on the DQ
pin is latched with the falling edge of CAS and written into memory.
Fig. 5 – EARLY WRITE CYCLE (OE = “H” or “L”)
RAS
A
0
to A
11
WE
DQ
(Input)
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
DQ
(Output)
t
RC
t
RAS
t
CSH
t
RP
t
RSH
t
RCD
t
CRP
t
CAS
t
AR
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
WCR
t
WCS
t
WCH
t
DHR
t
DS
t
DH
t
RAL
t
CAL
t
RAD
t
CWL
t
WP
t
RWL
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