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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MB8116400A-50 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 4 M ×4 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4 M ×4 位快速頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 的CMOS 4米× 4位快速頁(yè)面模式的DRAM（的CMOS 4米× 4位快速頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/25頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 307K |
| 代理商： | MB8116400A-50 |
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6
MB8116400A-50/MB8116400A-60/MB8116400A-70
I
DC CHARACTERISTICS
(Recommended operating conditions unless otherwise noted.)
Notes 3
Values
Parameter
Notes
Symbol
Conditions
Unit
Min.
Typ.
Max.
Output high voltage
V
OH
I
OH
= –5.0 mA
2.4
—
—
V
Output low voltage
V
OL
I
OL
= 4.2 mA
0 V
≤
V
IN
≤
5.5 V;
4.5 V
≤
V
CC
≤
5.5 V;
V
SS
= 0 V; All other pins
under test = 0 V
0 V
≤
V
OUT
≤
5.5 V;
Data out disabled
—
—
0.4
Input leakage current (any input)
I
I(L)
–10
—
10
μ
A
Output leakage current
I
O(L)
–10
—
10
Operating current
(Average power
supply current)
MB8116400A-50
I
CC1
RAS & CAS cycling;
t
RC
= min.
—
—
90
mA
MB8116400A-60
75
MB8116400A-70
65
Standby current
(Power supply
current)
TTL level
I
CC2
RAS = CAS = V
IH
—
—
2.0
mA
CMOS level
RAS = CAS
≥
V
CC
–0.2
1.0
Refresh current#1
(Average power
supply current)
MB8116400A-50
I
CC3
CAS = V
IH
, RAS cycling;
t
RC
= min.
—
—
90
mA
MB8116400A-60
75
MB8116400A-70
65
Fast page mode
current
MB8116400A-50
I
CC4
RAS = V
IL
, CAS cycling;
t
RC
= min.
—
—
90
mA
MB8116400A-60
75
MB8116400A-70
65
Refresh current#2
(Average power
supply current)
MB8116400A-50
I
CC5
RAS cycling;
CAS-before-RAS;
t
RC
= min.
—
—
90
mA
MB8116400A-60
75
MB8116400A-70
65
2
2
2
2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB8116400A-60 | CMOS 4 M ×4 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4 M ×4 位快速頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MB8117800A-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2 M X 8 BIT FAST PAGE MODE DYNAMIC RAM |
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| MB812.833 | 功能描述:ACCY MOUNT BMM 3/4 58A RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF配件 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:* |
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