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參數(shù)資料
| 型號： | MB8116400A-50 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 4 M ×4 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4 M ×4 位快速頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 的CMOS 4米× 4位快速頁面模式的DRAM（的CMOS 4米× 4位快速頁面存取模式動態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 20/25頁 |
| 文件大?。?/td> | 307K |
| 代理商： | MB8116400A-50 |
20
MB8116400A-50/MB8116400A-60/MB8116400A-70
“H” or “L”
COLUMN
ADDRESS
ROW
ADDRESS
VALID DATA OUT
HIGH-Z
HIGH-Z
Fig. 14 – HIDDEN REFRESH CYCLE
DESCRIPTION
A hidden refresh cycle may be performed while maintaining the latest valid data at the output by extending the active time of CAS
and cycling RAS. The refresh row address is provided by the on-chip refresh address counter. This eliminates the need for the external
row address that is required by DRAMs that do not have CAS-before-RAS refresh capability.
t
RC
t
RAS
t
RAS
t
RC
t
RP
t
OEL
t
RCD
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RSH
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RAD
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CHR
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RP
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V
IH
V
IL
RAS
A
0
to A
11
WE
DQ
(Input)
OE
V
OH
V
OL
DQ
(Output)
CAS
t
WER
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB8116400A-60 | CMOS 4 M ×4 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4 M ×4 位快速頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| MB8116400A-70 | CMOS 4 M ×4 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4 M ×4 位快速頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| MB8116400B-50 | 4 M ×4 BITS Fast Page Mode Dynamic RAM(CMOS 4 M ×4 位快速頁面存取模式RAM) |
| MB8116400B-60 | 4 M ×4 BITS Fast Page Mode Dynamic RAM(CMOS 4 M ×4 位快速頁面存取模式RAM) |
| MB8116405A-60 | CMOS 4M ×4 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 4M ×4 位超級頁面存取模式動態(tài)RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MB8116E | 制造商:FUJITSU 功能描述: 制造商:FUJITSU 功能描述:8116E |
| MB8117800A-60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2 M X 8 BIT FAST PAGE MODE DYNAMIC RAM |
| MB8117800A-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2 M X 8 BIT FAST PAGE MODE DYNAMIC RAM |
| MB812 | 功能描述:ACCY MOUNT BMM 3/4 58A RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF配件 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:* |
| MB812.833 | 功能描述:ACCY MOUNT BMM 3/4 58A RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF配件 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:* |
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